Name: onsemi NTBG060N065SC1
Brand: onsemi
SKU: NTBG060N065SC1
Price: 9.1253 USD
Availability: InStock

onsemi NTBG060N065SC1

Artikelnummer:

NTBG060N065SC1

Hersteller / Marke:

AMI Semiconductor/onsemi

Teil der Beschreibung.:

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4

Datenblätte:

1.NTBG060N065SC1.pdf ···: PCN -Baugruppe/Herkunft
NTBGxx 14/Dec/2022.pdf

Datenblätter
NTBG060N065SC1.pdf

RoHs Status:

ROHS3 -konform

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Spezifikationen
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~~onsemi NTBG060N065SC1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments NTBG060N065SC1.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	4.3V @ 6.5mA
Vgs (Max)	+22V, -8V
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device-Gehäuse	D2PAK-7
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)	170W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1473 pF @ 325 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	74 nC @ 18 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	46A (Tc)
Grundproduktnummer	NTBG060

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- Foto der Teile
- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
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